台媒：DRAM巨头，HBM有变
此次量产时间的调整，正值三星努力提升其重新设计的1c DRAM芯片性能与良品率之际。报道指出，三星的内部测试已取得一定进展，截至7月初，少量晶圆的良品率已达到大约65%。不过，需要注意的是，这些测试样品并非专门针对HBM应用设计，因此在实际量产过程中，良品率可能会有所不同。
通常情况下，内存制造商会率先开发适用于计算领域的DRAM芯片，随后再将这一技术延伸至移动设备或HBM产品。在此前第一季度的财报电话会议中，三星重申，HBM4的研发进程依然与客户规划的时间表保持同步，目标是于2025年底前实现大规模量产。然而，最新的业内消息表明，这一时间点可能会延后至2026年。尽管面临延期，三星重新设计的1c DRAM似乎正逐步取得突破。
业内人士透露，该公司正采取双线策略来优化1c DRAM：其一是在早期1a和1b设计基础上进行改良，其二是全面重新设计以推出一代全新的芯片。虽然彻底重新设计能够扩大芯片尺寸，进而提升产量，但随之而来的却是晶圆使用量的增加以及开发工作量的上升，导致成本上升。三星HBM4的成功量产取决于其能否在试生产到大规模生产的转化过程中维持较高的良品率。业内专家提醒，目前仍需要经过额外的测试阶段，并且通过产品可靠性评估（PRA）仅仅是迈向成功的初步指标。在全面量产的进程中，良率方面的挑战时常出现，要确保稳定的产量和质量仍需假以时日。
7月24日，SK海力士公布了创纪录的季度业绩。第二季度营业利润达9.21万亿韩元，销售额为22.23万亿韩元，净利润为6.99万亿韩元。HBM及相关DRAM产品占总营收的77%，带动内存部门创下最强劲业绩。SK海力士的营业利润远超三星电子同期的4.6万亿韩元，营业利润率升至41%，现金储备增至17万亿韩元，净债务较上季度减少4.1万亿韩元。
SK 海力士正在积极布局人工智能领域，以期在 2025 年下半年实现持续的业务增长。这家韩国芯片制造商对未来充满信心，认为在多个因素的共同推动下，市场对芯片的需求将持续上升。
首先，随着人工智能技术的不断发展，大规模人工智能模型的训练需求日益增长。SK 海力士凭借其在内存技术方面的优势，能够为这些复杂的训练过程提供高效、稳定的存储解决方案。此外，自主人工智能项目的发展也将带动相关芯片的需求。SK 海力士积极参与到这些项目中，不断优化产品性能，以满足客户的需求。
新产品发布也是推动需求增长的重要因素。SK 海力士计划在 2025 年将高带宽内存（HBM）的销量翻一番。目前，该公司已经成功量产 HBM3E 芯片，并且市场对该产品的需求非常旺盛。为了满足不断增长的市场需求，SK 海力士正在积极准备下一代产品 HBM4。该公司计划在今年 3 月分发早期样品，并力争在 2026 年实现 HBM4 的商业化上市。
除了 HBM 产品线外，SK 海力士还在积极拓展其他领域。今年晚些时候，该公司将开始出货基于低功耗双倍数据速率（LPDDR）的服务器模块，以满足数据中心对高性能、低功耗内存的需求。同时，SK 海力士还将推出一款新的 24Gb 芯片，进一步丰富其用于 AI 显卡的 GDDR7 产品线。
在 NAND 内存方面，SK 海力士则采取谨慎的投资策略。尽管市场需求波动较大，但该公司始终将盈利放在首位。通过精准的市场分析和合理的产能规划，SK 海力士致力于在保持市场竞争力的同时，实现稳定的盈利增长。
综上所述，SK 海力士通过在人工智能领域的积极布局、多产品线的协同发展以及谨慎的投资策略，为未来的持续增长奠定了坚实的基础。随着市场的不断发展和技术的不断进步，SK 海力士有望在芯片制造行业中保持领先地位。